[发明专利]扇出型封装结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：衬底，所述衬底包括凹槽；嵌入在所述衬底的凹槽中的第一芯片，所述第一芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将所述第一芯片的第二表面和侧面包裹，所述第一芯片的第一表面与衬底的顶面齐平；倒装贴装在所述第一芯片的第一表面上的第二芯片，所述第二芯片具有第一面、以及与第一面相对的第二面，所述第二芯片的第一面包括器件区、芯片电路和位于芯片电路上方的焊料凸起，所述第二芯片通过所述焊料凸起电连接到所述第一芯片的导电焊盘。

主权项

1.一种扇出型封装结构的制造方法，包括：制作带有凹槽的衬底，所述衬底的材料选自半固化片、纯胶、ABF、膜状塑封料、含有填充材料的黏胶，采用注塑或压铸方式制作带有凹槽的衬底；通过视觉识别系统抓取所述凹槽外围边框进行定位，将第一芯片放置在凹槽的底部，以确保所述芯片定位准确，所述第一芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，所述第一芯片的第一表面与凹槽顶部齐平，而所述第一芯片的第二表面与凹槽底部接触，在将第一芯片放置在凹槽的底部过程中，对第一芯片或衬底进行加热，且加热温度不超过衬底材料的玻璃化转变温度Tg点，保证第一芯片与凹槽粘结良好；将第二芯片倒装贴装在所述第一芯片的第一表面，所述第二芯片具有第一面、以及与第一面相对的第二面，所述第二芯片的第一面包括器件区、芯片电路和位于芯片电路上方的焊料凸起，通过所述焊料凸起将所述第二芯片电连接到所述第一芯片的导电焊盘；进行塑封，将所述第二芯片包裹并填满所述第一芯片与所述第二芯片之间的间隙，其中塑封体的顶面与所述第二芯片的第二面齐平或者高于所述第二芯片的第二面；以及在所述塑封体的顶面和/或所述第二芯片的第二面上形成重布线结构，所述重布线结构通过贯穿所述塑封体的导电通孔与所述第一芯片的第一表面上的导电焊盘电连接，其中在进行塑封之前或将第二芯片倒装贴装在所述第一芯片的第一表面之前，填满所述第一芯片与所述凹槽之间的间隙，填满所述第一芯片与所述凹槽之间的间隙采用加热加压的方法，达到凹槽材料的玻璃化转变温度Tg，衬底的材料软化流动，在压力的辅助下填满间隙。