[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710597803.3 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109285889B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王彦;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底；在基底上形成若干牺牲层；在牺牲层侧壁形成侧墙，在相邻牺牲层和侧墙之间形成第一开口；在第一开口底部形成抬高层，抬高层覆盖侧墙的部分侧壁；去除牺牲层，形成暴露出基底的第二开口；以侧墙为掩膜，刻蚀第一开口底部的抬高层和基底、以及第二开口底部的基底，形成双鳍部结构，双鳍部结构包括位于第一开口底部的第三开口、第三开口底部的连接部、以及位于第三开口和连接部两侧的鳍部，鳍部位于侧墙底部；形成双鳍部结构后，去除侧墙；去除侧墙后，形成横跨鳍部和第三开口的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部顶部以及第三开口的部分侧壁和底部表面。所形成的晶体管能够抑制短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在部分基底上形成若干牺牲层；在所述牺牲层的侧壁上形成侧墙，在相邻牺牲层和侧墙之间形成第一开口；在所述第一开口底部的基底上形成抬高层，所述抬高层覆盖侧墙的部分侧壁；去除所述牺牲层，形成暴露出基底的第二开口；以所述侧墙为掩膜，刻蚀第一开口底部的所述抬高层和基底、以及所述第二开口底部的基底，形成双鳍部结构，所述双鳍部结构包括位于第一开口底部的第三开口、第三开口底部的连接部以及位于第三开口和连接部两侧的鳍部，所述鳍部位于侧墙底部；形成双鳍部结构之后，去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，形成横跨鳍部和第三开口的栅极结构，且所述栅极结构覆盖所述鳍部顶部以及第三开口的部分侧壁和底部表面。
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