[发明专利]氮化物半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710596729.3 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107316928B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 卓昌正;陈圣昌;邓和清 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体元件及其制作方法，所述元件包括：衬底，位于所述衬底上的应力调变层，位于所述应力调变层上的AlN缓冲层，依次位于所述缓冲层上的n型半导体层、有源层和p型半导体层，所述应力调变层的晶格常数大于所述AlN缓冲层，但不大于所述n型半导体层的晶格常数。通过在衬底与AlN缓冲层之间插入应力调变层，可以减少n型氮化物半导体层的压应力，进而改善材料晶体质量，提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.氮化物半导体元件，包括：衬底，位于所述衬底上的应力调变层，位于所述应力调变层上的AlN缓冲层，依次位于所述缓冲层上的n型半导体层、有源层和p型半导体层，所述应力调变层的晶格常数大于所述AlN缓冲层，但不大于所述n型半导体层的晶格常数，借由所述应力调变层，减少所述n型半导体层的压应力，所述应力调变层为AlXGa1‑XN，其中Al组分的取值X为0.2~0.9，厚度d1的取值范围为100＜d1≤5000nm。
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