[发明专利]扇出型半导体封装结构及制造工艺方法在审
| 申请号： | 201710585235.5 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108461455A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 黄仁义;陈青扬 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔媛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种扇出型半导体封装结构及制造工艺方法，该扇出型半导体封装结构包含一第一重布层、多个金属柱、一半导体晶片、一模造成型化合层及一第二重布层，该第一重布层包含一第一金属层，具有多个凹槽区，该多个金属柱注入于该多个凹槽区的一第一组凹槽区，该半导体晶片接合于该多个凹槽区的一第二组凹槽区，该模造成型化合层覆盖该半导体晶片及该第一重布层，该多个金属柱的顶端从该模造成型化合层露出，该第二重布层位于该模造成型化合层及该多个金属柱的顶端之上。本发明提供的扇出型半导体封装结构及制造工艺方法可提升金属柱的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽区 金属柱 重布层 半导体封装结构 模造成型 化合层 扇出型 半导体晶片 制造工艺 第一金属层 接合 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型半导体封装结构，其特征在于，所述扇出型半导体封装结构包含：一第一重布层，所述第一重布层包含：一第一金属层，具有多个凹槽区；多个金属柱，其中每一金属柱各自注入于所述第一金属层的所述多个凹槽区的一第一组凹槽区的相异凹槽区；一半导体晶片，接合于所述第一金属层的所述多个凹槽区的一第二组凹槽区；一模造成型化合层，覆盖所述半导体晶片及所述第一重布层，其中所述多个金属柱的顶端从所述模造成型化合层露出；及一第二重布层，位于所述模造成型化合层及所述多个金属柱的顶端之上。
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