[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710585106.6 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107658289B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一层间介电(ILD)层，设置在衬底上方；以及第一金属配线图案，形成在第一层间介电层中并且沿着与衬底平行的第一方向延伸。在沿横穿第一方向且与衬底平行的第二方向的截面中，第一金属配线图案的顶部被第一二维材料层覆盖。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件和制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一层间介电(ILD)层，设置在衬底上方；以及第一金属配线图案，形成在所述第一层间介电层中并且沿着与所述衬底平行的第一方向延伸，其中：在沿横穿所述第一方向且与所述衬底平行的第二方向的截面中，所述第一金属配线图案的顶部被第一二维材料层覆盖。
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