[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

摘要

本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的P型外延层、形成于所述P型外延层中的P型隔离阱、形成于所述P型外延层表面的N型掺杂区域、及形成于所述N型掺杂区域表面的第一P型掺杂区域及第二P型掺杂区域，其中所述第一P型掺杂区域与所述第二P型掺杂区域位于所述N型掺杂区域的两端，所述第一P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第一齐纳二极管，所述第二P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第二齐纳二极管。所述瞬态电压抑制器具有器件面积小，工艺难度低，制造成本低、保护特性和可靠性较高的优点。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的P型外延层、形成于所述P型外延层中的P型隔离阱、形成于所述P型外延层表面的N型掺杂区域、及形成于所述N型掺杂区域表面的第一P型掺杂区域及第二P型掺杂区域，其中所述第一P型掺杂区域与所述第二P型掺杂区域位于所述N型掺杂区域的两端，所述第一P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第一齐纳二极管，所述第二P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第二齐纳二极管，所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管共用所述N型掺杂区域使得所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管负极对接，进而所述瞬态电压抑制器具有双路双向保护功能，所述P型隔离阱与所述N型掺杂区域间隔设置，所述P型隔离阱贯穿所述P型外延层并延伸至所述P型衬底与所述P型衬底接触，所述瞬态电压抑制器还包括形成于所述P型外延层及所述N型掺杂区域上的层间介质，所述层间介质上形成有贯穿的第一开口与第二开口，所述第一开口正对所述第一P型掺杂区域，所述第二开口正对所述第二P型掺杂区域，所述层间介质上形成有贯穿的第三开口，所述第三开口正对所述P型隔离阱，所述瞬态电压抑制器还包括形成于所述层间介质上的第一电极与第二电极，所述第一电极与所述第二电极为所述瞬态电压抑制器的用于与外部器件电连接的外接电极，所述第一电极分别通过所述第一开口及所述第三开口与所述第一P型掺杂区域及所述P型隔离阱电连接，所述第二电极通过所述第二开口与所述第二P型掺杂区域电连接；其瞬态电压抑制器的制作方法，包括如下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底制作P型外延层，在所述P型外延层表面形成隔离层；利用第一光刻胶作为掩膜，采用干法/湿法刻蚀所述隔离层形成第一注入窗口，去除所述第一光刻胶；通过所述第一注入窗口进行P型离子注入形成P型隔离阱；利用第二光刻胶作为掩膜，采用干法/湿法刻蚀所述隔离层形成第二注入窗口，去除所述第二光刻胶，通过所述第二注入窗口在所述P型外延层表面进行N型离子注入形成N型掺杂区域；湿法刻蚀去除所述隔离层，在所述P型隔离阱、所述P型外延层及所述N型掺杂区域表面形成层间介质；及利用第三光刻胶作为掩膜，干法刻蚀所述层间介质形成第一开口、第二开口，其中所述第一开口所述第二开口均对应所述N型掺杂区域，通过所述第一开口及所述第二开口对所述N型掺杂区域进行P型离子注入形成第一P型掺杂区域及第二P型掺杂区域；其中所述第一P型掺杂区域与所述第二P型掺杂区域位于所述N型掺杂区域的两端，所述第一P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第一齐纳二极管，所述第二P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第二齐纳二极管，所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管共用所述N型掺杂区域使得所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管负极对接，进而所述瞬态电压抑制器具有双路双向保护功能。