[发明专利]通过扩散掺杂和外延轮廓成型有效
| 申请号： | 201710561145.2 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107665862B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 廖志腾;邱意为;郑志玄;许立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成第一沟槽和第二沟槽。在第一沟槽和第二沟槽之间留下半导体衬底的剩余部分作为半导体区。在半导体区的侧壁上和半导体区的顶面上方形成掺杂的介电层。掺杂的介电层包括掺杂剂。第一沟槽和第二沟槽填充有介电材料。然后，执行退火，并且掺杂的介电层中的p型掺杂剂或n型掺杂剂被扩散至半导体区中以形成扩散的半导体区。本发明实施例涉及形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，具体地涉及通过扩散掺杂和外延轮廓成型。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 扩散 掺杂 外延 轮廓 成型 | ||
【主权项】：
一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成第一沟槽和第二沟槽，其中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间留下所述半导体衬底的剩余部分作为半导体区；在所述半导体区的侧壁上和所述半导体区的顶面上方形成掺杂的介电层，其中，所述掺杂的介电层包括掺杂剂；用介电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及执行退火，其中，所述掺杂的介电层中的所述掺杂剂扩散至所述半导体区内以形成扩散的半导体区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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