[发明专利]通过扩散掺杂和外延轮廓成型

权利要求书

1.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

蚀刻半导体衬底以形成第一沟槽和第二沟槽，其中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间留下所述半导体衬底的剩余部分作为半导体区；

在所述半导体区的侧壁上和所述半导体区的整个顶面上方形成掺杂的介电层，其中，所述掺杂的介电层包括掺杂剂；

用介电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及

执行退火，其中，在所述退火过程中，所述掺杂的介电层保持覆盖所述半导体区的所述侧壁和所述整个顶面，所述掺杂的介电层中的所述掺杂剂扩散至所述半导体区内以形成扩散的半导体区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体区包括半导体基底以及位于所述半导体基底上方并且连接至所述半导体基底的半导体条，并且所述方法还包括：

蚀刻所述半导体条；以及

从所述半导体区的蚀刻所述半导体条剩余的部分执行外延以形成外延半导体区。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述半导体条的顶部的侧壁上形成间隔件；以及

凹进所述半导体条的所述顶部，其中，所述外延半导体区的从所述半导体条的蚀刻所述半导体条剩余的部分生长的部分彼此合并。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述外延从所述扩散的半导体区生长。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂的介电层中的所述掺杂剂具有n型，并且所述方法还包括在所述退火之前在所述掺杂的介电层上方形成附加的p型掺杂的层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂的介电层包括沉积磷硅酸盐玻璃(PSG)层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂的介电层包括沉积硼硅酸盐玻璃(BSG)层。

8.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

蚀刻半导体衬底以形成半导体区，所述半导体区包括半导体基底以及位于所述半导体基底上方并且连接至所述半导体基底的多个半导体条，其中，延伸至所述半导体衬底内的第一沟槽和第二沟槽位于所述半导体区的相对两侧上；

在所述半导体区的侧壁上和所述半导体区的整个顶面上方形成掺杂的介电层，其中，所述掺杂的介电层包括掺杂剂；

形成所述掺杂的介电层后，用介电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以形成隔离区，其中在所述填充之后以及形成所述隔离区之前执行退火，在所述退火过程中，所述掺杂的介电层保持覆盖所述半导体区的所述侧壁和所述整个顶面，所述掺杂的介电层中的所述掺杂剂扩散至所述半导体区内以形成扩散的半导体区；

在形成所述隔离区之后凹进所述隔离区，其中，所述多个半导体条的顶部形成多个半导体鳍；

在所述多个半导体鳍的第一部分上形成栅极堆叠件；

蚀刻所述多个半导体鳍的未被所述栅极堆叠件覆盖的第二部分；以及

从所述半导体区的剩余部分执行外延以形成外延源极/漏极区。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述多个半导体鳍的所述第二部分的侧壁上形成鳍间隔件；以及

当蚀刻所述多个半导体鳍时凹进所述鳍间隔件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，当开始所述外延时，所述鳍间隔件具有剩余的部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在蚀刻所述多个半导体鳍的所述第二部分之后，暴露所述半导体基底，并且从所述半导体基底开始执行所述外延。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述外延期间，在所述外延源极/漏极区中生长孔。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，生长所述孔以具有椭圆形形状。