[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明公开一种半导体存储装置，其包含基底、多个栅极，多个插塞、电容结构以及导电盖层。多个栅极是位于基底内，而多个插塞则是设置在基底上，且多个插塞分别电连接多个栅极两侧的基底。电容结构则是设置在基底上，且电容结构包含多个电容，各电容分别电连接多个插塞。而导电盖层则覆盖在电容结构的顶表面与侧壁上。此外，半导体存储装置还设置有粘着层与绝缘层，粘着层是覆盖在导电盖层与电容结构之上，而绝缘层则覆盖在该粘着层上。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：一个基底；多个栅极，设置在该基底内；多个插塞，设置在该基底上，该些插塞分别电连接该些栅极两侧的该基底；一个电容结构，设置在该基底上，该电容结构包含多个电容，各该电容分别电连接该些插塞；一个导电盖层，覆盖在该电容结构的顶表面与侧壁上；一个粘着层，覆盖在该导电盖层与该电容结构之上；以及一个绝缘层，覆盖在该粘着层上。