[发明专利]一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710538803.6 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN107235477A 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 史迅;陈立东;江彬彬;仇鹏飞;陈弘毅;张骐昊;任都迪 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;C04B35/547;C04B35/64;H01L35/16
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 代理人: 曹芳玲,郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法,所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag9GaSe6‑x‑yTey,其中0≤x≤0.03,0≤y≤0.75且x,y不同时为0。本发明提供的半导体材料其热导率很低,可在0.25到0.65Wm‑1K‑1之间。本发明提供的半导体材料其电导率可以在很宽范围内调控,电导率可在10000到60000Sm‑1之间。
搜索关键词: 一种 性能 硫银锗矿 热电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种硫银锗矿热电材料,其特征在于,所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag9GaSe6‑x‑yTey,其中0≤x≤0.03,0≤y≤0.75且x,y不同时为0。
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