[发明专利]改进的静电放电器件及其形成方法

摘要

本发明的实施例提供了一种集成电路器件，包括：生长在衬底上的至少两个外延生长的有源区，有源区放置第一栅极器件和第二栅极器件之间。集成电路器件包括位于两个外延生长的有源区之间且位于在第一栅极器件和第二栅极器件之间的至少一个伪栅极，其中每个有源区在长度上是基本均匀的。在具有第一导电类型的第一阱上方形成第一栅极器件和第二器件，并且在具有第二导电类型的第二阱上方形成伪栅极。本发明的实施例还提供了一种用于形成静电放电(ESD)器件的方法。

主权项

一种集成电路器件，包括：至少两个外延生长的有源区，生长到衬底上，所述有源区放置在第一栅极器件和第二栅极器件之间；以及至少一个伪栅极，位于所述至少两个外延生长的有源区之间且位于所述第一栅极器件和所述第二栅极器件之间，其中，每个所述有源区在长度上是基本均匀的；其中，在具有第一导电类型的第一阱上方形成所述第一栅极器件和所述第二器件，并且在具有第二导电类型的第二阱上方形成所述伪栅极。