[发明专利]改进的静电放电器件及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

至少两个外延生长的有源区，生长到衬底上，所述有源区放置在第一栅极器件和第二栅极器件之间；以及

至少一个伪栅极，位于所述至少两个外延生长的有源区之间且位于所述第一栅极器件和所述第二栅极器件之间，其中，每个所述有源区在长度上是基本均匀的；

其中，在具有第一导电类型的第一阱上方形成所述第一栅极器件和所述第二栅极器件，并且在具有第二导电类型的第二阱上方形成所述伪栅极，

其中，所述第一阱的深度大于所述第二阱的深度，并且所述第二阱的远离所述有源区的表面与所述第一阱完全接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一阱和所述第二阱之间的界面位于所述第一栅极器件和所述伪栅极之间。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一阱和所述第二阱之间的界面位于所述第一栅极器件的侧壁处，所述侧壁面向所述伪栅极。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二阱的掺杂浓度小于所述有源区的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一阱的深度与所述第二阱之间的界面位于所述第一栅极器件与所述伪栅极之间。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二阱的深度大于所述有源区的深度。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一阱是p阱并且所述第二阱是n阱。

8.一种用于形成静电放电(ESD)器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成具有第一导电类型的第一阱；

在所述第一阱内形成第二阱，所述第二阱具有第二导电类型；

在所述第一阱上方形成第一栅极器件和第二栅极器件；

在所述第一栅极器件和所述第二栅极器件之间形成多个有源区，其中，所述多个有源区的每个在长度上是基本均匀的；以及

在所述有源区之间的间隔内形成伪栅极，所述伪栅极形成在所述第二阱上方，

其中，所述第一阱的深度大于所述第二阱的深度，并且所述第二阱的远离所述有源区的表面与所述第一阱完全接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一栅极器件和所述第二栅极器件垂直于所述有源区延伸。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一阱和所述第二阱之间的第一界面位于所述第一栅极器件和所述伪栅极之间，并且所述第一阱和所述第二阱之间的第二界面位于所述伪栅极和所述第二栅极器件之间。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一阱和所述第二阱之间的第一界面位于所述第一栅极器件的面向所述伪栅极的侧壁处，并且所述第一阱和所述第二阱之间的第二界面位于所述第二栅极器件的面向所述伪栅极的侧壁处。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二阱的深度大于所述有源区的深度。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述伪栅极之前形成所述第二阱。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一阱是p阱，以及所述第二阱是n阱。