[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构，包括基底、设置在基底中的多个第一隔离结构、至少一条埋入式字元线与至少一个第二隔离结构。埋入式字元线与第一隔离结构相交。第二隔离结构与第一隔离结构相交。第二隔离结构的至少一部分的材料与第一隔离结构的材料不同。本发明还提供所述半导体结构的制造方法。上述半导体结构及其制造方法可有效地防止主动区的尺寸缩小，且可避免在接触窗之间产生短路的问题。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；多个第一隔离结构，设置在所述基底中；至少一埋入式字元线，设置在所述基底中，其中所述至少一埋入式字元线与所述多个第一隔离结构相交；以及至少一第二隔离结构，设置在所述基底中，其中所述至少一第二隔离结构与所述多个第一隔离结构相交，且所述至少一第二隔离结构的至少一部分的材料与所述多个第一隔离结构的材料不同，所述至少一第二隔离结构的所述至少一部分的底面低于所述基底的顶面。