[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710532292.7 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107731892B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明将主体区域与电流检测区域分离，并且抑制耐压下降。本发明提供半导体装置，其具备：半导体基板；主体区域，其包含形成于半导体基板的内部的一个以上的工作用单元；电流检测区域，其包含形成于半导体基板的内部的一个以上的电流检测用单元；中间区域，其在主体区域与电流检测区域之间，形成于半导体基板的内部；上表面侧电极，其形成于主体区域的至少一部分区域的上方；电流检测用电极，其形成于电流检测区域的至少一部分区域的上方，并与上表面侧电极分离；以及追加电极，其形成于中间区域的至少一部分区域的上方，并连接于上表面侧电极及电流检测用电极的一方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；主体区域，其包含形成于所述半导体基板的内部的一个以上的工作用单元；电流检测区域，其包含形成于所述半导体基板的内部的一个以上的电流检测用单元；中间区域，其在所述主体区域与所述电流检测区域之间，形成于所述半导体基板的内部；上表面侧电极，其形成于所述主体区域的至少一部分区域的上方；电流检测用电极，其形成于所述电流检测区域的至少一部分区域的上方，并与所述上表面侧电极分离；以及追加电极，其形成于所述中间区域的至少一部分区域的上方，并连接于所述上表面侧电极及所述电流检测用电极的一方。
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