[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

主体区域，其包含形成于所述半导体基板的内部的一个以上的工作用单元；

电流检测区域，其包含形成于所述半导体基板的内部的一个以上的电流检测用单元；

中间区域，其在所述主体区域与所述电流检测区域之间，形成于所述半导体基板的内部；

上表面侧电极，其形成于所述主体区域的至少一部分区域的上方；

电流检测用电极，其形成于所述电流检测区域的至少一部分区域的上方，并与所述上表面侧电极分离；以及

追加电极，其形成于所述中间区域的至少一部分区域的上方、以及所述主体区域的至少一部分区域或所述电流检测区域的至少一部分区域的上方，并连接于所述上表面侧电极及所述电流检测用电极的一方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述工作用单元及所述电流检测用单元作为使电流沿所述半导体基板的深度方向流动的晶体管起作用，

所述中间区域包含中间单元，所述中间单元作为使电流沿所述半导体基板的深度方向流动的二极管起作用。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述追加电极形成得比所述上表面侧电极薄，而且还比所述电流检测用电极薄。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述工作用单元、所述电流检测用单元及所述中间单元以同一节距形成。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

主体区域，其包含形成于所述半导体基板的内部的一个以上的工作用单元；

电流检测区域，其包含形成于所述半导体基板的内部的一个以上的电流检测用单元；

中间区域，其在所述主体区域与所述电流检测区域之间，形成于所述半导体基板的内部；

上表面侧电极，其形成于所述主体区域的至少一部分区域的上方；

电流检测用电极，其形成于所述电流检测区域的至少一部分区域的上方，并与所述上表面侧电极分离；以及

追加电极，其形成于所述中间区域的至少一部分区域的上方，并连接于所述上表面侧电极及所述电流检测用电极的一方，

所述工作用单元及所述电流检测用单元作为使电流沿所述半导体基板的深度方向流动的晶体管起作用，

所述中间区域包含中间单元，所述中间单元作为使电流沿所述半导体基板的深度方向流动的二极管起作用，

在所述半导体基板的内部，形成有：

第一导电型的基区；

形成于所述基区的下方的第二导电型的漂移区；以及

从所述半导体基板的上表面延伸形成至所述基区的下侧并以同一间隔配置的多个沟槽部，

各个沟槽部之间的区域作为所述工作用单元、所述电流检测用单元及所述中间单元的某一个起作用，

在所述工作用单元及所述电流检测用单元，在所述基区的上方形成有第二导电型的高浓度区域，

在所述中间单元，在所述基区的上方不形成所述高浓度区域。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述追加电极形成得比所述上表面侧电极薄，而且还比所述电流检测用电极薄。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述工作用单元、所述电流检测用单元及所述中间单元以同一节距形成。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述电流检测用电极也形成于一部分所述中间单元的上方。

9.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述上表面侧电极也形成于一部分所述中间单元的上方。