[发明专利]半导体装置

说明书

本发明将主体区域与电流检测区域分离，并且抑制耐压下降。本发明提供半导体装置，其具备：半导体基板；主体区域，其包含形成于半导体基板的内部的一个以上的工作用单元；电流检测区域，其包含形成于半导体基板的内部的一个以上的电流检测用单元；中间区域，其在主体区域与电流检测区域之间，形成于半导体基板的内部；上表面侧电极，其形成于主体区域的至少一部分区域的上方；电流检测用电极，其形成于电流检测区域的至少一部分区域的上方，并与上表面侧电极分离；以及追加电极，其形成于中间区域的至少一部分区域的上方，并连接于上表面侧电极及电流检测用电极的一方。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，在功率MOSFET、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等半导体装置中，已知具有作为元件而驱动的主体区域和用于检测电流的电流检测区域的结构(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-219258号公报

发明内容

技术问题

若为了将主体区域与电流检测区域分离而在主体区域与电流检测区域之间设置分离区域，则有时半导体装置的耐压会下降。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供具备半导体基板的半导体装置。半导体装置可以具备主体区域，该主体区域包含形成于半导体基板的内部的一个以上的工作用单元。半导体装置可以具备电流检测区域，该电流检测区域包含形成于半导体基板的内部的一个以上的电流检测用单元。半导体装置可以具备中间区域，该中间区域在主体区域与电流检测区域之间，形成于半导体基板的内部。半导体装置可以具备上表面侧电极，该上表面侧电极形成于主体区域的至少一部分区域的上方。半导体装置可以具备电流检测用电极，该电流检测用电极形成于电流检测区域的至少一部分区域的上方，并与上表面侧电极分离。半导体装置可以具备追加电极，该追加电极形成于中间区域的至少一部分区域的上方，并连接于上表面侧电极及电流检测用电极的一方。

工作用单元及电流检测用单元可以是使电流沿半导体基板的深度方向流动的晶体管。中间区域可以包含中间单元，该中间单元作为使电流沿半导体基板的深度方向流动的二极管起作用。

追加电极可以形成得比上表面侧电极及电流检测用电极薄。工作用单元、电流检测用单元及中间单元可以以同一节距形成。

在半导体基板的内部，可以形成有：第一导电型的基区、以及形成于基区的下方的第二导电型的漂移区。在半导体基板的内部，可以形成有从半导体基板的上表面延伸形成至基区的下侧并以同一间隔配置的多个沟槽部。各个沟槽部之间的区域可以作为工作用单元、电流检测用单元及中间单元的某一个起作用。在工作用单元及电流检测用单元，可以在基区的上方形成有第二导电型的高浓度区域。在中间单元，可以在基区的上方不形成高浓度区域。

电流检测用电极可以也形成于一部分中间单元的上方。上表面侧电极可以也形成于一部分中间单元的上方。形成于电流检测用电极的下方的中间单元的数量可以大于或等于形成于上表面侧电极的下方的中间单元的数量。

追加电极可以连接于电流检测用电极。追加电极可以形成于整个电流检测用电极的下方。追加电极可以连接于上表面侧电极。追加电极可以形成于上表面侧电极的一部分的下方。追加电极可以具有开口部。

在半导体基板的内部，可以形成有：第一导电型的基区、以及形成于基区的下方的第二导电型的漂移区。在半导体基板的内部，可以形成有从半导体基板的上表面延伸形成至基区的下侧并以同一间隔配置的多个沟槽部。在半导体基板的内部，可以形成有在漂移区内交替地配置的第一导电型的柱及第二导电型的柱。