[发明专利]在包括FINFET装置的IC产品的隔离区上形成保护层的方法有效
| 申请号： | 201710525080.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107564860B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;C·M·普林德尔;成敏圭;T·P·R·李 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及在包括FINFET装置的IC产品的隔离区上形成保护层的方法，其中所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体衬底中形成多个沟槽，以定义多个鳍片；形成凹入绝缘材料层，该凹入绝缘材料层包括位于该沟槽中的第一绝缘材料，其中，该多个鳍片各者的一部分暴露于该凹入绝缘材料层的上表面上方；以及掩蔽第一鳍片的第一部分并执行至少一个第一蚀刻制程，以移除未被掩蔽的第二鳍片的至少一部分。在此例子中，该方法还包括形成该FinFET装置的装置隔离区，其包括第二绝缘材料；以及在该装置隔离区上方形成隔离保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 finfet 装置 ic 产品 隔离 形成 保护层 方法 | ||
【主权项】：
一种形成FinFET装置的方法，包括：在半导体衬底中形成多个鳍片形成沟槽，以定义多个鳍片；形成凹入绝缘材料层，该凹入绝缘材料层包括位于该鳍片形成沟槽中的第一绝缘材料，其中，该多个鳍片各者的一部分暴露于该凹入绝缘材料层的上表面上方；在形成该凹入绝缘材料层以后，掩蔽该多个鳍片的第一鳍片的第一部分并执行至少一个第一蚀刻制程，以移除该多个鳍片的未被掩蔽的第二鳍片的至少一部分；在执行该至少一个第一蚀刻制程以后，形成该FinFET装置的装置隔离区，其包括第二绝缘材料；以及在该装置隔离区上方形成隔离保护层，其中，该隔离保护层包括与该装置隔离区的该第二绝缘材料不同的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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