[发明专利]在包括FINFET装置的IC产品的隔离区上形成保护层的方法

权利要求书

1.一种形成FinFET装置的方法，包括：

在半导体衬底中形成多个鳍片形成沟槽，以定义多个鳍片；

形成凹入绝缘材料层，该凹入绝缘材料层包括位于该鳍片形成沟槽中的第一绝缘材料，其中，该多个鳍片各者的一部分暴露于该凹入绝缘材料层的上表面上方；

在形成该凹入绝缘材料层以后，掩蔽该多个鳍片的第一鳍片的第一部分并执行至少一个第一蚀刻制程，以移除该多个鳍片的未被掩蔽的第二鳍片的至少一部分；

在执行该至少一个第一蚀刻制程以后，形成该FinFET装置的装置隔离区，其包括第二绝缘材料；以及

在该装置隔离区上方形成隔离保护层，其中，该隔离保护层包括与该装置隔离区的该第二绝缘材料不同的材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一绝缘材料及第二绝缘材料包括二氧化硅，且该隔离保护层包括氮化硅、氮氧化硅或SiBCN的其中一种。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在该装置隔离区上方形成该隔离保护层包括执行定向沉积制程，以在该装置隔离区上方形成该隔离保护层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在该装置隔离区上方形成该隔离保护层包括：

执行共形沉积制程，以在该装置隔离区上方形成共形隔离保护层；

掩蔽位于该装置隔离区上方的该共形隔离保护层的部分，而暴露该共形隔离保护层的其它部分；以及

移除该共形隔离保护层的该暴露部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中，掩蔽该第一鳍片的该第一部分包括：

在该鳍片形成沟槽及相邻的该第一鳍片与第二鳍片中的该凹入绝缘材料层上方形成牺牲材料层；以及

移除邻近该第二鳍片的该牺牲材料层的第一部分，而将邻近该第一鳍片的该牺牲材料层的第二部分保留于原位，其中，该牺牲材料层包括该第二部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中，掩蔽该第一鳍片的该第一部分包括形成至少部分位于该鳍片形成沟槽内的图案化鳍片掩膜层，其中，该图案化鳍片掩膜层包括至少一个材料层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成该FinFET装置的该装置隔离区包括：

移除该凹入绝缘材料层的一部分，以暴露该衬底的水平的表面并定义隔离区开口；

用该第二绝缘材料填充该隔离区开口；以及

执行该第二绝缘材料的凹入蚀刻制程。

8.如权利要求1所述的方法，其中，执行该至少一个第一蚀刻制程以移除该第二鳍片的该未被掩蔽部分的整个垂直高度。

9.如权利要求1所述的方法，其中，执行该至少一个第一蚀刻制程包括执行单个蚀刻制程。

10.一种形成FinFET装置的方法，包括：

在半导体衬底中形成多个鳍片形成沟槽，以定义多个鳍片；

形成凹入绝缘材料层，该凹入绝缘材料层包括位于该鳍片形成沟槽中的第一绝缘材料，其中，该多个鳍片各者的一部分暴露于该凹入绝缘材料层的上表面上方；

在形成该凹入绝缘材料层以后，在该衬底上方形成图案化鳍片掩膜层，其覆盖该多个鳍片的第一鳍片的第一部分，暴露该第一鳍片的第二部分并暴露该多个鳍片的第二鳍片的至少一部分；

通过位于该衬底上方的该图案化鳍片掩膜层，执行至少一个第一蚀刻制程，以移除该第一鳍片及第二鳍片的该暴露部分的垂直高度的至少一部分；

在执行该至少一个第一蚀刻制程以后，形成该FinFET装置的装置隔离区，其包括第二绝缘材料；以及

在该装置隔离区上方形成隔离保护层，其中，该隔离保护层包括与该装置隔离区的该第二绝缘材料不同的材料。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该第一绝缘材料与第二绝缘材料包括不同的绝缘材料，以及其中，该隔离保护层包括与该第一绝缘材料及第二绝缘材料不同的材料。