[发明专利]一种DAF芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201710517576.9 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107275284B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 鲁学山 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DAF芯片的制备方法，包括：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对DAF膜按照横向切割线和纵向切割线进行切割。该种制备方法将切割后的芯片以任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于DAF膜上，之后根据每个芯片的位置确定切割线，按照切割线对芯片进行切割，这样可以采用刀片切割方式进行切割，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 daf 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DAF芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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