[发明专利]一种DAF芯片的制备方法

权利要求书

1.一种DAF芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；

根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；

对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。

2.根据权利要求1所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，采用刀片切割的方式进行切割。

3.根据权利要求2所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，相邻的两个芯片在横向和纵向上的间隙大于切割刀片的厚度。

4.根据权利要求1-3任一所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，所述芯片排列于DAF膜直径所在直线上，芯片的贴片方向与所述直径方向呈45度角。

5.根据权利要求2或3所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，所述刀片切割的切割速度为30-90mm/s。

6.根据权利要求5所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，所述刀片切割的切割速度为70mm/s。

7.根据权利要求1-3任一所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤之前，还包括将所述DAF膜固定于具有收纳及固定晶圆作用的框架上。

8.根据权利要求1-3任一所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤之前，还包括对所述DAF膜进行烘烤处理，使所述芯片和所述DAF膜上的DAF完全贴附。