[发明专利]一种DAF芯片的制备方法

说明书

本发明提供了一种DAF芯片的制备方法，包括：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对DAF膜按照横向切割线和纵向切割线进行切割。该种制备方法将切割后的芯片以任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于DAF膜上，之后根据每个芯片的位置确定切割线，按照切割线对芯片进行切割，这样可以采用刀片切割方式进行切割，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种DAF芯片的制备方法。

背景技术

晶圆切割(Dicing)，也叫划片(Die Sawing)，将做好芯片的整片晶圆通过切割工艺进行分割，形成若干个独立的单颗芯片(Die)，为后续工序做准备。它是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属于后道工序。目前，常用的切割工艺有刀片切割(blade saw)和激光切割。激光切割利用激光进行切割，在切割过程中晶圆不易破碎，切割后的芯片光滑平整，但是所需的激光切割机价格昂贵，成本较高。刀片切割利用划片系统进行切割，在晶圆切割市场仍然占据较大份额。

目前，晶圆切割主要是晶圆粘接在蓝膜或者紫外线(Ultra Violet，UV)膜等胶膜上，这种胶膜在切割时具有高粘着力，保证芯片不飞散、不脱落，减少切割中所产生的晶圆崩碎，保持晶圆的完整，同时确保晶圆在正常传送过程中芯片不会有位移、掉落的情形，在切割完成后对胶膜进行特定处理，粘着力降低，便于芯片与胶膜的分离。

芯片正装贴片一般采用2种方式，Epoxy贴片和DAF(Die Attach Film)贴片。Epoxy贴片将去除胶膜的芯片粘贴于覆盖Epoxy结合材料的基片上；DAF贴片由于芯片背面具有DAF，可以直接与基片进行粘贴，不需要在基片上涂覆Epoxy结合材料。

贴UV胶膜或者NON UV胶膜的晶圆在晶圆切割后，形成一颗颗单独的芯片，芯片正装贴片时还需要在芯片和基片之间涂覆Epoxy结合材料，结合材料的涂覆面积通常大于芯片本身的面积，导致封装尺寸较大。由于DAF贴片使用时非常便捷，同时还能降低封装尺寸，因此，还希望将切割后的芯片采用DAF方式进行贴片，需将UV胶带或者NON UV胶带揭掉，再重新贴DAF胶膜，但此时芯片已经完全分开，与整面晶圆的方式加工相比，将芯片再按照切割前进行排布，很难达到切割前的排布精度，因此即使将上述切割后的芯片放置在DAF胶膜上，也无法使用传统的blade saw工艺将其切开，因为传统的blade saw切割方式为刀片切割，刀片切割的方式可以整行或整列切割，但是在每行切割时无法随时调整切割位置，由于切割后的芯片放置在DAF胶膜上无法保持整行整列的对齐精度，因此刀片切割后芯片的成品率很低，对芯片造成了浪费。目前可采用的切割方式是激光切割，由于激光切割可以精确控制切割的位置，但是激光切割机价格高昂，成本较高。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的已切割芯片转化成DAF芯片成本高的缺陷。

为此，本发明提供一种DAF芯片的制备方法，包括以下步骤：

将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；

根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；

对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。

可选地，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，采用刀片切割的方式进行切割。

可选地，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，相邻的两个芯片在横向和纵向上的间隙大于切割刀片的厚度。

可选地，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，所述芯片排列于DAF膜直径所在直线上，芯片的贴片方向与所述直径方向呈45度角。