[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底、在衬底上的多个半导体鳍片、在每个半导体鳍片周围的沟槽以及填充沟槽的第一绝缘物层，其中，多个半导体鳍片包括第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；对第一半导体鳍片执行第一掺杂以在第一半导体鳍片中形成第一抗穿通区域；去除第一绝缘物层的至少一部分以使得沟槽的至少一部分未被第一绝缘物层填充；形成第二绝缘物层，其中第二绝缘物层填充沟槽的未被填充部分；以及在形成第二绝缘物层之后，对第二半导体鳍片执行第二掺杂以在第二半导体鳍片中形成第二抗穿通区域。本发明可以降低用于第一掺杂的掺杂物扩散到第二半导体鳍片中的可能性。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、在所述衬底上的多个半导体鳍片、在每个所述半导体鳍片周围的沟槽以及填充所述沟槽的第一绝缘物层，其中，所述多个半导体鳍片包括用于形成第一器件的第一半导体鳍片和用于形成第二器件的第二半导体鳍片；对所述第一半导体鳍片执行第一掺杂以在所述第一半导体鳍片中形成第一抗穿通区域；在形成所述第一抗穿通区域之后，去除所述第一绝缘物层的至少一部分以使得所述沟槽的至少一部分未被所述第一绝缘物层填充；形成第二绝缘物层，其中所述第二绝缘物层填充所述沟槽的未被填充部分；以及在形成所述第二绝缘物层之后，对所述第二半导体鳍片执行第二掺杂以在所述第二半导体鳍片中形成第二抗穿通区域。