[发明专利]被动装置结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810677794.3 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109216275B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘兵武;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及被动装置结构及其制造方法，揭露用于集成电路的被动装置的结构以及相关制造方法。形成具有凸起鳍片以及位于该鳍片之间的介电隔离层的半导体衬底。在被动装置的鳍片之间的该介电隔离层上方形成蚀刻停止层。在该鳍片及蚀刻停止层上方形成层间介电层。选择性蚀刻该层间介电层，以形成用于至该鳍片的导电接触的开口，其中，该蚀刻停止层防止蚀刻该介电隔离层。形成导电接触以接触该多个鳍片，该导电接触终止于该蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 被动 装置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：介电隔离层；共形介电层，设于该介电隔离层上；被动装置，包括半导体本体以及自该半导体本体延伸穿过该介电隔离层并穿过该共形介电层的多个鳍片；以及第一导电接触，设于该多个鳍片及该共形介电层上，该第一导电接触与该多个鳍片连接并终止于该多个鳍片之间的该共形介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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