[发明专利]自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法有效
| 申请号： | 201710495305.8 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107275187B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧;罗晓菊 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法，其中，自支撑氮化镓层的制备方法至少包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底上形成第一氮化镓缓冲层；于所述第一氮化镓缓冲层上形成图形化掩膜层，然后在氨气氛围下进行退火，其中，所述图形化掩膜层具有若干个开口；于所述图形化掩膜层上及所述开口内形成第二氮化镓缓冲层；于所述第二氮化镓缓冲层上形成氮化镓层，然后进行高温退火；进行降温，使所述氮化镓层从所述衬底上自动剥离，以得到所述自支撑氮化镓层。本发明对制备工艺要求较低，并能够实现氮化镓层的快速自剥离，且自剥离过程中产生的热应力不会对氮化镓层造成影响，能够获得高成品率的自支撑氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 氮化 及其 制备 方法 退火 | ||
【主权项】：
一种自支撑氮化镓层的制备方法，其特征在于，所述自支撑氮化镓层的制备方法至少包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底上形成第一氮化镓缓冲层；于所述第一氮化镓缓冲层上形成图形化掩膜层，然后在氨气氛围下进行退火，其中，所述图形化掩膜层具有若干个开口；于所述图形化掩膜层上及所述开口内形成第二氮化镓缓冲层；于所述第二氮化镓缓冲层上形成氮化镓层，然后进行高温退火；进行降温，使所述氮化镓层从所述衬底上自动剥离，以得到所述自支撑氮化镓层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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