[发明专利]自支撑氮化镓层及其制备方法有效

申请号：	201710494721.6	申请日：	2017-06-26
公开（公告）号：	CN107316800B	公开（公告）日：	2019-12-31
发明（设计）人：	罗晓菊;王颖慧	申请（专利权）人：	镓特半导体科技(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/324;H01L21/78
代理公司：	31219 上海光华专利事务所(普通合伙)	代理人：	姚艳
地址：	201306 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提供一种自支撑氮化镓层及其制备方法，其中，制备方法至少包括：提供一衬底；于所述衬底上依次形成第一含镓分解层、分解阻挡层、第二含镓分解层、图形化掩膜层，其中，所述图形化掩膜层具有若干个开口；进行热退火，使所述第一含镓分解层和所述第二含镓分解层部分分解重构，以分别形成内部具有若干个第一孔洞的第一分解重构层和第二分解重构层，以及位于所述开口内的氮化镓晶种层；进行热生长，使所述氮化镓晶种层生长，从而于所述图形化掩膜层上形成氮化镓层；进行降温，使所述氮化镓层从所述衬底上自动剥离，以得到所述自支撑氮化镓层。本发明对制备工艺要求较低，并能够实现氮化镓层的快速自剥离，能够获得高成品率的自支撑氮化镓层。
搜索关键词：	支撑氮化及其制备方法
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【主权项】：

1.一种自支撑氮化镓层的制备方法，其特征在于，所述自支撑氮化镓层的制备方法至少包括如下步骤：/n提供一衬底；/n于所述衬底上形成第一含镓分解层；/n于所述第一含镓分解层上形成分解阻挡层；/n于所述分解阻挡层上形成第二含镓分解层；/n于所述第二含镓分解层上形成图形化掩膜层，其中，所述图形化掩膜层具有若干个开口，所述开口暴露出部分所述第二含镓分解层；/n进行热退火，使所述第一含镓分解层和所述第二含镓分解层部分分解重构，以分别形成内部具有若干个第一孔洞的第一分解重构层和第二分解重构层，同时于所述第二分解重构层上形成位于所述开口内的氮化镓晶种层，退火温度为700℃～1100℃；/n进行热生长，使所述氮化镓晶种层生长，从而于所述图形化掩膜层上形成氮化镓层；/n进行降温，使所述氮化镓层从所述衬底上自动剥离，以得到所述自支撑氮化镓层。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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