[发明专利]一种沟槽式晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710487848.5 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107331700B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽式晶体管结构及其制造方法，通过在衬底表面形成条形沟槽，利用沟槽侧壁及底部通过注入形成沟道层，并在沟槽内壁处形成栅电极介质层，在沟槽内填充栅电极材料形成栅电极，同时在沟道层外侧的沟槽条形两侧及底部通过注入形成围绕沟槽的环形源极、漏极，将传统在衬底之上形成栅电极的方式改进为在衬底中形成栅电极，可完全与平面CMOS工艺兼容，从而既能增强晶体管的性能，同时又避免了FINFET制作中复杂的非平面工艺，因此更易于工艺集成的简化和成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式晶体管结构，其特征在于，包括：水平形成于衬底表面的条形沟槽，所述沟槽内填充有栅电极材料，以形成栅电极；衬底中沿沟槽侧壁及底部形成的沟道层；衬底中位于沟道层外侧、并围绕沟槽条形两侧及底部分别形成的源极、漏极。
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