[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710478075.4 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527976B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 梁成锡;李进馥;郭重熙;朴正圭;金廷城 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。该半导体发光装置可包括发射结构、发射结构的限定区上的保护图案层和发射结构上的绝缘图案层。保护图案层可暴露出发射结构的分离的其余区，并且绝缘图案层可至少覆盖发射结构的所述其余区。绝缘图案层可包括开口，其暴露出保护图案层的表面的至少一部分，使得发射结构保持被绝缘图案层和保护图案层中的至少一个覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，包括：发射结构，其包括第一半导体层、第二半导体层和第一半导体层与第二半导体层之间的有源层；保护图案层，其位于发射结构的区上；第一绝缘图案层，其位于发射结构上，所述第一绝缘图案层包括开口，使得发射结构被第一绝缘图案层和保护图案层中的至少一个覆盖；以及电极层，其位于开口中的保护图案层上，所述电极层还位于第一绝缘图案层上。
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