[发明专利]半导体开关装置

摘要

本发明提供一种半导体开关装置以及一种制造该半导体开关装置的方法。该半导体开关装置包括位于半导体衬底上的场效应晶体管。该场效应晶体管包括多个栅极。每个栅极包括在该衬底的主表面上布置成环路的栅极电极和栅极电介质。由该栅极形成的该环路同轴地布置。每个栅极具有相邻于由该栅极形成的该环路的内边缘或外边缘定位的源极区和相邻于由该栅极形成的该环路的所述内边缘和所述外边缘中的另一边缘定位的漏极区。

主权项

一种半导体开关装置，其特征在于，包括位于半导体衬底上的场效应晶体管，其中所述场效应晶体管包括多个栅极，每个栅极包括在所述衬底的主表面上布置成环路的栅极电极和栅极电介质，其中由所述栅极形成的所述环路被同轴地布置，以及其中每个栅极具有相邻于由该栅极形成的所述环路的内边缘或外边缘定位的源极区和相邻于由该栅极形成的所述环路的所述内边缘和所述外边缘中的另一边缘定位的漏极区。