[发明专利]一种提升注入离子平行性的装置及其方法有效
| 申请号： | 201710456644.5 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107180736B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/244;H01J37/304 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升注入离子平行性的装置及其方法，其中，所述装置包括靶盘平台、法拉第杯阵列、微磁场阵列和控制单元，所述靶盘平台用于放置待加工晶圆，所述法拉第杯阵列由位于同一平面的法拉第杯排列组成，所述法拉第杯阵列和所述待加工晶圆位于同一平面上，且在该平面内位置可相互切换，在靶盘平台朝向离子束方向的上方设置微磁场阵列，所述控制单元分别连接微磁场阵列和法拉第杯阵列。本发明提供的一种提升注入离子平行性的装置，采用法拉第杯阵列检测离子束的平行性，并通过微磁场阵列调整离子束的平行性，避免了入射离子发散的现象，提升了注入离子的平行性。 | ||
| 搜索关键词： | 法拉第杯 平行性 注入离子 微磁场 离子束 靶盘 晶圆 阵列检测 发散 入射 加工 离子 | ||
【主权项】：
1.一种提升注入离子平行性的装置，其特征在于，包括靶盘平台、法拉第杯阵列、微磁场阵列和控制单元，所述靶盘平台用于放置待加工晶圆，所述法拉第杯阵列由位于同一平面的法拉第杯排列组成，所述法拉第杯阵列和所述待加工晶圆位于同一平面上，且在该平面内位置可相互切换，在靶盘平台朝向离子束方向的上方设置微磁场阵列，所述控制单元分别连接微磁场阵列和法拉第杯阵列；当离子束入射时，将法拉第杯阵列切换到离子束入射位置，离子束经过法拉第杯阵列中不同位置的法拉第杯，得出不同位置的离子束所对应的电流值，并将所述电流值反馈至控制单元，所述控制单元根据所述电流值调整微磁场阵列，所述微磁场阵列对离子束进行调整，直至离子束经过法拉第杯阵列中不同位置的法拉第杯所对应的电流值相等，此时，将待加工晶圆切换至离子束入射位置，离子束对靶盘平台上的待加工晶圆进行离子注入。
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