[发明专利]一种平行束角度测量法拉第装置有效
| 申请号： | 200710175968.8 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414545A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 唐景庭;伍三忠;袁卫华;彭立波;孙勇 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/265;G01B21/22;H01J37/317 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111北京市中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入机的平行束角度测量法拉第装置，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一个法拉第收集框，一个电子抑制板，一个收集框底板，七个固定角度法拉第杯和一个移动法拉第杯组成，一个移动法拉第杯，所述的法拉第收集框收集入射离子束流，所述的抑制电子板抑制离子束轰击法拉第杯金属体产生的电子溢出，所述的角度收集底板用于真空连接密封法拉第收集框和法拉第杯，七个固定角度法拉第杯测得离子束电流大小，结合靶室区布置的移动法拉第来确定注入离子束的中心位置，当平行束是与晶平面垂直入射的束线时，此时移动法拉第的挡束中心位置与固定法拉第测束中心一致，移动法拉第电流达到峰值时的位置，固定的角度法拉第杯电流也同时达到峰值位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平行 角度 测量 法拉第 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种平行束入射角度测量法拉第，其特征在于：一个法拉第收集框，一个电子抑制板，一个收集框底板，七个角度法拉第杯和一个移动法拉第组成.如权利要求1所述的一个法拉第收集框，其特征在于：能收集整个束流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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