[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710448940.0 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087907A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孔云龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：基底；在所述基底上由下至上依次层叠的下极板、电介质层、上极板和缓冲层。本发明提供的半导体器件及其制造方法，通过更改MIM电容器上极板的结构而提升了对划痕应力的容忍度，从而大大降低结晶颗粒产生的划痕对产品的杀伤力，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 上极板 划痕 基底 制造 电介质层 结晶颗粒 依次层叠 缓冲层 容忍度 下极板 良率 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基底；在所述基底上由下至上依次层叠的下极板、电介质层、上极板和缓冲层。
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