[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

基底；

在所述基底上由下至上依次层叠的下极板、电介质层、上极板和缓冲层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层中形成有孔洞。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述孔洞在所述缓冲层中交错排列。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述孔洞的深度小于所述缓冲层的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层与所述上极板之间形成有绝缘层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层与所述上极板在竖直方向上重叠。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括覆盖所述缓冲层的介质层，所述孔洞中填充有所述介质层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层中形成有与所述下极板接触的第一导电插塞和与所述上极板接触的第二导电插塞，其中所述第二导电插塞贯穿所述缓冲层。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上由下至上依次形成下极板、电介质层、上极板和缓冲层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述缓冲层中形成孔洞的步骤。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述孔洞在所述缓冲层中交错排列。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述孔洞的深度小于所述缓冲层的厚度。

13.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，使用同一掩膜图案化所述缓冲层和所述上极板。

14.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层与所述上极板之间形成有绝缘层。

15.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述缓冲层的介质层，所述介质层填充所述孔洞。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述介质层中形成与所述下极板接触的第一导电插塞和与所述上极板接触的第二导电插塞的步骤，其中所述第二导电插塞贯穿所述缓冲层。