[发明专利]一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法有效
| 申请号： | 201710448613.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107180793B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张青竹;赵超;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域和所述PMOS区域上均设置有金属栅叠层；沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层；退火扩散所述牺牲层中的掺杂原子，使所述掺杂原子扩散进入所述金属栅叠层；去除所述牺牲层。本发明提供的方法，用以解决现有技术中高K金属栅CMOS器件阈值调节工艺存在的可控性差，并且临近界面易造成对沟道的工艺损伤的技术问题。实现了简化功函数调节工艺，减少对沟道的工艺损伤的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 金属 cmos 器件 阈值 方法 | ||
【主权项】：
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