[发明专利]一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法

权利要求书

1.一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域和所述PMOS区域上均设置有金属栅叠层；

沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层；

退火扩散所述牺牲层中的掺杂原子，使所述掺杂原子扩散进入所述金属栅叠层；

去除所述牺牲层；

所述衬底上设置有阻挡层、功函数层和填充层；

所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层；

所述沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层，包括：在以下任一层上沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层：所述第二阻挡层、所述功函数层或所述填充层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功函数层包括NMOS功函数层和/或PMOS功函数层，所述沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层，包括：

在所述NMOS功函数层和/或所述PMOS功函数层上沉积所述牺牲层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层包含以下材料中的至少一种或多种的组合：氧化物、low-k材料、氮化物、有机物、非晶碳。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂原子包含以下至少一种或多种的组合：B、P、As、活性或过渡金属原子、中性原子。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述活性或过渡金属原子包含以下至少一种或多种的组合：Al、Ga、In、Sb、Co、Ti、Ni、Zr、Hf、Mo、La、Ta；

所述中性原子包含以下至少一种或多种的组合：C、Si、S、Ge。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火扩散所述牺牲层中的掺杂原子的方法，包括以下任意一种或多种的组合：

炉管退火、快速热退火或激光退火。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层的方法，包括以下任意一种或多种的组合：干法腐蚀、湿法腐蚀、灰化或剥离。