[发明专利]半导体封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710442644.X 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN108269768B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 林柏均 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 72003 隆天知识产权代理有限公司 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 本公开提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括一第一元件以及位于该第一元件上的一凸块结构。在一些实施例中,该第一元件具有一第一上表面与一第一侧,其中该第一上表面与该第一侧形成该第一元件的一第一角部。在一些实施例中,该凸块结构位于该第一上表面上,并且横向延伸跨过该第一元件的该第一侧。该凸块结构通过横向延伸可接触一横向相邻元件的一对应导体,以于该半导体元件与该横向相邻元件之间实现一横向信号路径,而未使用对应于重布线层的一重布线结构。本公开提供的半导体封装可降低半导体制造成本。
搜索关键词: 第一元件 半导体封装 凸块结构 上表面 横向相邻 横向延伸 半导体元件 半导体制造 导体 横向信号 重布线层 未使用 重布线 角部 跨过 制造
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:/n一第一元件,具有一第一上表面与一第一侧,其中该第一上表面与该第一侧形成该第一元件的一第一角部;以及/n一凸块结构,位于该第一上表面上,其中该凸块结构横向延伸跨过该第一元件的该第一侧,/n其中该第一元件包括一第二上表面与一第二侧,该第二上表面与该第二侧形成该第一元件的一第二角部,以及该凸块结构位于该第二上表面上并且横向延伸跨过该第一元件的该第二侧。/n
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