[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
申请号: | 201710442644.X | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN108269768B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 林柏均 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一元件 半导体封装 凸块结构 上表面 横向相邻 横向延伸 半导体元件 半导体制造 导体 横向信号 重布线层 未使用 重布线 角部 跨过 制造 | ||
1.一种半导体封装,包括:
一第一元件,具有一第一上表面与一第一侧,其中该第一上表面与该第一侧形成该第一元件的一第一角部;以及
一凸块结构,位于该第一上表面上,其中该凸块结构横向延伸跨过该第一元件的该第一侧,
其中该第一元件包括一第二上表面与一第二侧,该第二上表面与该第二侧形成该第一元件的一第二角部,以及该凸块结构位于该第二上表面上并且横向延伸跨过该第一元件的该第二侧。
2.如权利要求1所述的半导体封装,其中该第一上表面与该第二上表面位于不同阶层,以及该凸块结构自该第一元件的该第一上表面垂直延伸至该第二上表面。
3.如权利要求1所述的半导体封装,其中该第一元件包括一缺角部,以及该凸块结构填充该缺角部。
4.如权利要求1所述的半导体封装,其中该第一侧实质垂直于该第一上表面。
5.如权利要求1所述的半导体封装,另包括:
一第二元件,横向相邻于该第一元件,其中该第二元件包括一第二上表面与一第二侧,以及该第二元件的第二上表面与该第二元件的第二侧形成该第二元件的一第二角部;
其中该凸块结构自该第一元件的该第一上表面横向延伸至该第二元件的该第二上表面。
6.如权利要求5所述的半导体封装,另包括:
一模制件,环绕该第一元件与该第二元件,其中该模制件的一中间部分位于该第一元件与该第二元件之间;
其中该凸块结构横向延伸跨过该中间部分,并且在该第一元件与该第二元件之间实现一横向信号路径。
7.如权利要求5所述的半导体封装,其中该第一元件包括一第一缺角部,该第二元件包括一第二缺角部,该第二缺角部面对该第一缺角部,以及该凸块结构填充该第一缺角部与该第二缺角部。
8.如权利要求1所述的半导体封装,其中该第一元件包括一接垫,该凸块结构位于该接垫上,以及该接垫包括一阶梯垫轮廓。
9.如权利要求8所述的半导体封装,其中该凸块结构包括一阶梯凸块轮廓,面对该接垫的该阶梯垫轮廓。
10.一种半导体封装的制造方法,包括:
提供一第一元件,具有一第一上表面与一第一侧,其中该第一上表面与该第一侧形成一第一角部;
形成一凸块结构于该第一上表面上,其中该凸块结构横向延伸跨过该第一元件的该第一侧,
在该第一元件中形成一第二上表面与一第二侧,其中该第二上表面与该第二侧形成该第一元件的一第二角部;以及
形成该凸块结构于该第二上表面上,并且横向延伸跨过该第一元件的该第二侧。
11.如权利要求10所述的制造方法,其中该第一上表面与该第二上表面形成于不同阶层,以及该凸块结构自该第一元件的该第一上表面垂直延伸至该第二上表面。
12.如权利要求10所述的制造方法,包括:
形成一缺角部于该第一元件中;以及
形成该凸块结构于该第一上表面上并且填充该缺角部。
13.如权利要求10所述的制造方法,另包括:
提供与该第一元件横向相邻的一第二元件,其中该第二元件包括一第二上表面与一第二侧,以及该第二元件的第二上表面与该第二元件的第二侧形成该第二元件的一第二角部;
其中该凸块结构自该第一元件横向延伸跨过该第二元件的第二侧至该第二元件的该第二上表面。
14.如权利要求13所述的制造方法,另包括:
形成一模制件,环绕该第一元件与该第二元件,其中该模制件包含一中间部分于该第一元件与该第二元件之间;
其中该凸块结构横向延伸跨过该中间部分,以及该凸块结构在该第一元件与该第二元件之间实现一横向信号路径。
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