[发明专利]隧穿场效晶体管结构与其制作方法在审
| 申请号： | 201710442176.6 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109087943A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄泓文;李凯霖;何仁愉;陈纪孝;康庭绚;杨皓翔;石安石;谢宗翰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/49;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种隧穿场效晶体管结构与其制作方法。该隧穿场效晶体管的制作方法，包含提供一基底，其上包含有一鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态，接着形成一介电层位于该基底以及该鳍状结构上，并形成一栅极凹槽于该介电层中，然后在该栅极凹槽内形成一第一功函数金属层，该第一功函数金属层至少定义有一左部分、一右部分以及一中央部分，之后进行一蚀刻步骤，以移除该第一功函数金属层的该中央部分，并形成一凹槽于该第一功函数金属层的该左部分以及该右部分之间，以及形成一第二功函数金属层，至少填入该凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数金属层 鳍状结构 隧穿 场效晶体管结构 栅极凹槽 基底 制作 蚀刻 场效晶体管 导电型态 介电层 电层 填入 移除 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效晶体管(tunnel field‑effect transistor，TFET)结构，包含：基底，其上包含有鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态；介电层，位于该基底以及该鳍状结构上，该介电层包含有栅极凹槽；栅极结构，位于该栅极凹槽内，该栅极结构包含有栅极导电层以及功函数金属层，其中该功函数金属层包含有左部分、右部分以及位于该左部分与该右部分之间的中央部分，其中该中间部分的材质与该左部分以及该右部分不同；以及源极以及漏极，分别位于该基底上的该鳍状结构两侧。
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