[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710423669.5 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109003935A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 朱继光;桂珞;高剑琴;高汉杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在第一半导体衬底上形成凹槽，在凹槽及第一半导体衬底上覆盖第一绝缘层之后再将第一半导体衬底与覆盖有第二绝缘层的第二半导体衬底进行键合，然后减薄第二半导体衬底背向第二绝缘层的表面，并对剩余的第二半导体衬底进行刻蚀形成波导层，其中凹槽的上方形成有所述波导层，该波导层下方绝缘层的厚度大于其余位置处绝缘层的厚度，不仅能够减小波导传输的损失，而且能够避免在现有技术中先进行键合再进行凹槽刻蚀所造成的不良影响，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 衬底 半导体 半导体器件 波导层 键合 刻蚀 导体 波导传输 位置处 覆盖 减薄 减小 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一半导体衬底，在所述第一半导体衬底内形成一凹槽；在所述凹槽及所述第一半导体衬底上形成第一绝缘层；提供一第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成第二绝缘层；将所述第一半导体衬底上形成有所述第一绝缘层的一面与所述第二半导体衬底上形成有所述第二绝缘层的一面进行键合；减薄所述第二半导体衬底背向所述第二绝缘层的表面；刻蚀剩余的第二半导体衬底以形成多个波导层，其中所述凹槽的上方形成有所述波导层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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