[发明专利]用于具有多电轨及冗余的半导体装置的互连结构有效
| 申请号： | 201710421201.2 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107481994B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杰森·伊葛尼·史蒂芬;古拉梅·伯奇;S·纳拉西姆哈;派翠克·贾斯丁尚;金炳烨;艾克·麦克·奇尔德·二世 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于具有多电轨及冗余的半导体装置的互连结构，其中，一种用于半导体装置的互连结构包括各具有电轨的第一及第二(或更多)金属化层，以及在垂直毗邻电轨之间的直接电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 多电轨 冗余 半导体 装置 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供用于一或更多半导体装置的起始互连结构，该起始互连结构包含具有第一电轨的第一金属化层；在该第一金属化层之上形成具有第二电轨的第二金属化层；以及直接电连接该第一电轨与该第二电轨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710421201.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构的制造方法
- 下一篇：被金属覆盖层覆盖的钴互连
