[发明专利]NVM存储器HKMG集成技术

摘要

本发明实施例涉及一种集成电路(IC)及其形成方法，该集成电路包括非易失性存储器(NVM)器件并提供小比例尺寸和高性能。在一些实施例中，集成电路包括具有非易失性存储器(NVM)器件的存储区，该NVM器件具有设置在衬底上方的两个相邻源极/漏极区之间的一对控制栅电极和选择栅电极。该控制栅电极和该选择栅电极包括多晶硅。逻辑区被设置为与所述存储区邻近且包括逻辑器件，该逻辑器件包括设置在逻辑栅极电介质上方的两个相邻源极/漏极区之间的金属栅电极，且所述金属栅电极具有被高k栅极介电层覆盖的底面和侧壁表面。本发明实施例涉及NVM存储器HKMG集成技术。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：存储区，包括非易失性存储器(NVM)器件，所述非易失性存储器(NVM)器件具有设置在衬底上方的两个相邻源极/漏极区之间的控制栅电极和选择栅电极，所述控制栅电极和所述选择栅电极包括多晶硅；以及逻辑区，邻近所述存储区设置为并且包括逻辑器件，所述逻辑器件包括金属栅电极，所述金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方的两个相邻源极/漏极区之间并且具有被高k栅极介电层覆盖的底面和侧壁表面。