[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池在审
| 申请号： | 201710379489.1 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107170850A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈贤刚;杨苗;郁操;张津燕;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11644 | 代理人： | 冯德魁,窦晓慧 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，所述方法包括提供基片；在所述基片的两侧分别沉积本征层；在所述基片两侧的所述本征层上分别沉积n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层和/或p型掺杂层至少为两层，且所述n型掺杂层和/或所述p型掺杂层的各层在远离所述基片的纵向方向上的掺杂浓度呈递增状；在所述n型掺杂层和所述p型掺杂层上分别依次形成透明导电层和电极层。从而提高电池转换效率以及生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供基片；在所述基片的两侧分别沉积本征层；在所述基片两侧的所述本征层上分别沉积n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层和/或p型掺杂层至少为两层，且所述n型掺杂层和/或所述p型掺杂层的各层在远离所述基片的纵向方向上的掺杂浓度呈递增状；在所述n型掺杂层和所述p型掺杂层上分别依次形成透明导电层和电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
