[发明专利]一种半导体器件电连接结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710377940.6 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107275310B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 周志健;朱二辉;陈磊;杨力建;于洋;邝国华 | 申请（专利权）人： | 广东合微集成电路技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 44332 广东莞信律师事务所 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523808 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件电连接结构及其制造方法。所述的半导体器件电连接结构由顶层半导体材料、绝缘层和衬底半导体材料构成；绝缘层位于顶层半导体材料和衬底半导体材料之间；顶层半导体材料和衬底半导体材料为反相掺杂；在顶层半导体材料上设有掺杂区；通过掺杂区设有与衬底半导体材料连通的电连接孔；电连接孔内设有电连接层；衬底半导体材料上设有电隔离沟槽；被电隔离沟槽包围的衬底半导体材料与电连接层相连；衬底半导体材料上设电绝缘层；电绝缘层上设有电接触孔；电接触孔内形成有金属引脚。本发明解决了芯片后续三维(3D)封装的成本及工艺复杂度高、电连接结构制作工艺先后顺序灵活性差或成本高的问题；可用基于绝缘衬底上的硅(SOI)晶圆制作该电连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 连接 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件电连接结构，所述的半导体器件电连接结构由顶层半导体材料、绝缘层和衬底半导体材料构成；绝缘层位于顶层半导体材料和衬底半导体材料之间；其特征在于：/n顶层半导体材料和衬底半导体材料为反相掺杂；即当顶层半导体材料为N型掺杂时，衬底半导体材料为P型掺杂；当顶层半导体材料为P型掺杂时，衬底半导体材料为N型掺杂；/n在顶层半导体材料上设有掺杂区；通过掺杂区设有与衬底半导体材料连通的电连接孔；电连接孔内设有电连接层；电连接层材料为掺杂与顶层半导体材料掺杂相反的半导体导电材料；/n衬底半导体材料上设有电隔离沟槽；被电隔离沟槽包围的衬底半导体材料与电连接层相连；/n衬底半导体材料上设有电绝缘层；在电隔离沟槽包围的衬底半导体材料的电绝缘层上设有电接触孔；电接触孔内形成有金属并形成金属引脚。/n
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