[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法有效
| 申请号： | 201710370453.7 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107275449B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、量子点层和NiO空穴传输层，量子点层包括多个CdSe量子点颗粒，通过在外延片的n型层上依次层叠设置量子点层和NiO空穴传输层，电子和空穴在量子点层中复合发光，通过改变量子点层中的CdSe量子点颗粒的直径，可以制得不同发光波长的LED的外延片，从而可以制得不同颜色的LED，由于仅需要改变量子点颗粒的直径，无需改变其他的工艺过程，因此可以降低制作成本，同时量子点层的制作效率比现有的发光层的制作效率高，从而可以提高外延片的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的u‑GaN层、n型层、量子点层和NiO空穴传输层，所述量子点层包括多个CdSe量子点颗粒。
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