[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、量子点层和NiO空穴传输层，量子点层包括多个CdSe量子点颗粒，通过在外延片的n型层上依次层叠设置量子点层和NiO空穴传输层，电子和空穴在量子点层中复合发光，通过改变量子点层中的CdSe量子点颗粒的直径，可以制得不同发光波长的LED的外延片，从而可以制得不同颜色的LED，由于仅需要改变量子点颗粒的直径，无需改变其他的工艺过程，因此可以降低制作成本，同时量子点层的制作效率比现有的发光层的制作效率高，从而可以提高外延片的制备效率。

技术领域

本发明涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种发光二极管的外延片及制备方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。

现有的LED主要包括衬底和依次层叠在衬底上的n型层、发光层和p型层。

对于不同发光颜色的LED，发光层的制作材料也不相同，例如红黄光LED的发光层通常由AlGaInP材料制成，蓝绿光LED的发光层则通常由InGaN材料制成，且具体的制作工艺也存在一定的差异，由于制作不同发光颜色的LED要采用不同的材料和不同的工艺技术，在需要制作多种不同发光颜色的LED时，会增加制作的成本，且通常通过气相沉积的方法制作发光层，效率较低，会导致外延片的制作效率降低。

发明内容

为了解决现有外延片制作成本高，效率低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片及制备方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的u-GaN层、n型层、量子点层和NiO空穴传输层，所述量子点层包括多个CdSe量子点颗粒。

优选地，所述CdSe量子点颗粒的半径为1.35nm～2.40nm。

优选地，所述量子点层的厚度为10nm～300nm。

可选地，所述NiO空穴传输层的厚度为10nm～100nm。

优选地，所述外延片还包括GaN缓冲层，所述GaN缓冲层设置在所述衬底和所述u-GaN层之间。

另一方面，本发明实施例还提供了一种外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次外延生长u-GaN层和n型层；

在所述n型层上形成量子点层，所述量子点层包括多个CdSe量子点颗粒；

在所述量子点层上形成NiO空穴传输层。

可选地，所述在所述n型层上形成量子点层包括：

采用旋涂法在所述n型层上形成所述量子点层。

可选地，用于进行旋涂的量子点溶液的浓度为25mg/ml。

可选地，所述量子点溶液的溶剂为甲苯。

实现时，所述在所述量子点层上形成NiO空穴传输层包括：

采用磁控溅射法在所述量子点层上形成所述NiO空穴传输层。