[发明专利]一种具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路有效

专利信息
申请号: 201710367632.5 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN107291144B 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 曾夕;严慧婕;张远;段杰斌;袁庆 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种具有瞬态增强结构的无片外电容LDO电路,其包括误差放大器、单输入放大器、输出级单元和瞬态增强结构单元,输出级单元具有一个功率MOS晶体管M1、依次串联的第一反馈电阻和第二反馈电阻,瞬态增强结构单元的输入端与无片外电容的LDO电路输出端相连,瞬态增强结构单元的两个输出端分别与功率MOS晶体管M1的栅极和单输入放大器的偏置输入端相连;其中,误差放大器用于将该无片外电容LDO电路输出端的反馈电压信号与参考电压信号做比较,并将比较后的误差结果由单输入放大器放大输出,瞬态增强结构通过对该无片外电容LDO电路输出电压进行检测,并根据该无片外电容LDO电路输出电压的变化调整功率MOS晶体管M1的电压,从而使得该无片外电容LDO电路输出电压快速恢复。
搜索关键词: 一种 具有 瞬态 增强 结构 单元 外电 ldo 电路
【主权项】:
1.一种具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路,其特征在于,包括:误差放大器,其具有正向输入端、反向输入端和一个输出端,所述正向输入端与参考电压信号相连;单输入放大器,具有输入端、输出端和偏置输入端,其输入端与所述误差放大器的输出端相连;输出级单元,其包括一个功率MOS晶体管M1、依次串联的第一反馈电阻和第二反馈电阻;其中,所述功率MOS晶体管M1的栅极与所述单输入放大器的输出端相连,所述功率MOS晶体管M1的漏极和第一反馈电阻的一端相连,连接点是所述无片外电容LDO电路的输出端;所述第一反馈电阻的另一端、所述第二反馈电阻的一端与所述误差放大器的反向输入端连接在一起,所述第二反馈电阻的另一端与地相连;以及瞬态增强结构单元,其输入端与所述无片外电容LDO电路的输出端相连,所述瞬态增强结构单元的两个输出端分别与所述功率MOS晶体管M1的栅极和所述单输入放大器的偏置输入端相连;所述的瞬态增强结构单元包括一个输出变化检测模块和一个电流镜电路模块;其中,所述输出变化检测模块的一端与所述的无片外电容LDO电路的输出端相连,另一端与电流镜电路模块相连;所述电流镜电路模块包括一个电压输出端和一个电流输出端;所述电流镜电路模块的电压输出端与单输入放大器的偏置输入端相连;所述电流输出端与功率MOS晶体管M1的栅极相连;当无片外电容LDO电路输出电压变化时,所述瞬态增强结构单元的电压输出端通过调节单输入放大器的支路电流,间接调节所述的功率MOS晶体管M1的栅极电压,所述瞬态增强结构单元的电流输出端电流直接调节所述功率MOS晶体管M1的栅极电压,使所述无片外电容LDO电路的输出电压恢复到稳定值。
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