[发明专利]一种具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路

权利要求书

1.一种具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，包括：

误差放大器，其具有正向输入端、反向输入端和一个输出端，所述正向输入端与参考电压信号相连；

单输入放大器，具有输入端、输出端和偏置输入端，其输入端与所述误差放大器的输出端相连；

输出级单元，其包括一个功率MOS晶体管M1、依次串联的第一反馈电阻和第二反馈电阻；其中，所述功率MOS晶体管M1的栅极与所述单输入放大器的输出端相连，所述功率MOS晶体管M1的漏极和第一反馈电阻的一端相连，连接点是所述无片外电容LDO电路的输出端；所述第一反馈电阻的另一端、所述第二反馈电阻的一端与所述误差放大器的反向输入端连接在一起，所述第二反馈电阻的另一端与地相连；以及

瞬态增强结构单元，其输入端与所述无片外电容LDO电路的输出端相连，所述瞬态增强结构单元的两个输出端分别与所述功率MOS晶体管M1的栅极和所述单输入放大器的偏置输入端相连；所述的瞬态增强结构单元包括一个输出变化检测模块和一个电流镜电路模块；其中，所述输出变化检测模块的一端与所述的无片外电容LDO电路的输出端相连，另一端与电流镜电路模块相连；所述电流镜电路模块包括一个电压输出端和一个电流输出端；所述电流镜电路模块的电压输出端与单输入放大器的偏置输入端相连；所述电流输出端与功率MOS晶体管M1的栅极相连；当无片外电容LDO电路输出电压变化时，所述瞬态增强结构单元的电压输出端通过调节单输入放大器的支路电流，间接调节所述的功率MOS晶体管M1的栅极电压，所述瞬态增强结构单元的电流输出端电流直接调节所述功率MOS晶体管M1的栅极电压，使所述无片外电容LDO电路的输出电压恢复到稳定值。

2.根据权利要求1所述的具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述的输出变化检测模块包括一个电容C和一个电阻R；所述电容C的一端与所述LDO电路的输出端相连，所述电容C的另一端与所述电阻R的一端和所述电流镜电路模块相连，所述电阻R的另一端与VBP相连。

3.根据权利要求1所述的具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述电流镜电路模块包括功率MOS晶体管M4、功率MOS晶体管M5和功率MOS晶体管M6；其中，所述功率MOS晶体管M4的栅极为所述电流镜电路模块的输入端。

4.根据权利要求1所述的具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述单输入放大器包括功率MOS晶体管M2和功率MOS晶体管M3，所述功率MOS晶体管M3为偏置MOS晶体管。

5.根据权利要求1-4任意一个所述的具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述的功率MOS晶体管M1为功率PMOS晶体管或功率NMOS晶体管。

6.根据权利要求1-4任意一个所述的具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述的误差放大器为单级放大结构或多级放大结构，所述的单输入放大器为单级放大结构或者多级放大结构。

7.根据权利要求1-4任意一个所述的具有瞬态增强结构单元的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述的第一反馈电阻和第二反馈电阻为两个单独的电阻，或所述的第一反馈电阻和第二反馈电阻分别由多个电阻组成。