[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710363126.9 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108933104B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括，去除伪栅极，在伪栅结构之间的基底上形成介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出伪栅介质层；在所述开口内壁形成阻挡层；去除所述阻挡层和伪栅介质层，露出所述开口底部的基底及开口内壁的所述侧墙；在开口中形成栅极结构。由于所述侧墙内壁受到了阻挡层的保护，因此避免了去除过程中对所述侧墙的损伤，为后续形成栅极结构提供了良好的工艺基础，从而提高了所形成半导体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于所述基底上的伪栅介质层以及位于所述伪栅介质层上的伪栅极；在所述伪栅结构侧壁上形成侧墙；在所述伪栅结构之间的基底上形成介质层；去除所述伪栅极，在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述伪栅介质层；在所述开口内壁形成阻挡层；去除所述阻挡层和伪栅介质层，露出所述开口底部的基底及开口内壁的所述侧墙；在所述开口中形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
