[发明专利]晶片加工体及其制造方法、以及晶片上的有机膜的覆盖性确认方法在审
| 申请号： | 201710334028.2 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107403720A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 田上昭平;菅生道博 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艳,张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明所要解决的问题在于，提供一种晶片加工体，其即使在形成有电路的晶片上形成小于100nm的薄膜的情况下，也能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认该薄膜的覆盖性，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜。本发明的技术方案是一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和/或保护有机膜层(A)的晶片上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层(B)，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层(B)含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 及其 制造 方法 以及 有机 覆盖 确认 | ||
【主权项】：
一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和/或保护有机膜层(A)的晶片上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层(B)，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层(B)含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。
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- 2010-02-26 - 2012-01-25 - H01L21/26
- 本发明中，即使由并联连接的加热灯构成的负载为3的倍数以外个，也能够以在一次侧没有负担的方式均等地施加电压。在负载（65）中，分为3的倍数的个数和2的倍数的个数，将三个一次绕组进行Y接线或△接线并施加三相交流电压，在多个三相变压器内的与一次绕组分别磁耦合的同一匝数的二次绕组（42）上连接3的倍数个数的负载，在斯科特变压器内的将M座一次绕组的匝数二分割的中点，连接M座一次绕组的（
）/2倍的匝数的T座一次绕组的一端并施加三相交流电压，在一个以上的斯科特变压器内的与M座一次绕组和T座一次绕组分别磁耦合的相同匝数的二次绕组（42）上，连接2的倍数的负载，不会出现未连接有负载（65）的二次绕组（42）。能够不增大一次侧的负担地对加热灯（15）均等地施加交流电压。
- 半导体基板的制造方法、半导体基板、电子器件的制造方法、和反应装置-200980147545.2
- 高田朋幸;秦雅彦;山田永 - 住友化学株式会社
- 2009-11-26 - 2011-10-26 - H01L21/26
- 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括要被热处理的被热处理部的底板基板进行热处理来制造半导体基板的方法，包括：在底板基板上设置吸收电磁波而产生热、且对被热处理部选择性地加热的被加热部的步骤；对基板照射电磁波的步骤，和通过由于被加热部吸收电磁波而产生的热，降低被热处理部的晶格缺陷密度的步骤。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
