[发明专利]LED电极制作方法、LED电极和LED芯片有效
| 申请号： | 201710326901.3 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107123594B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 胡卫 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 11603 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 于淼<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED电极制作方法、LED电极和LED芯片。本发明公开的LED电极制作方法，通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极，其中，蒸镀电极膜层的先后顺序为Rh、Al、Ti、Pt、Ti、Pt和Au。LED电极蒸镀时，首先蒸镀Rh层，然后蒸镀Al层，形成RhAl反射电极，工艺简单，提高了电极稳定性，同时提高了反射电极反射率，能够制作高发光效率的LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | led 电极 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LED电极制作方法，其特征在于，通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极，其中，蒸镀电极膜层的先后顺序为Rh、Al、Ti、Pt、Ti、Pt和Au，其中，所述蒸镀电极膜层的步骤包括：Rh层的蒸镀厚度为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
