[发明专利]LED电极制作方法、LED电极和LED芯片有效
申请号: | 201710326901.3 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107123594B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 胡卫 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285;H01L33/00;H01L33/40 |
代理公司: | 11603 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 于淼<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 423038 湖南省郴*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 电极 制作方法 芯片 | ||
1.一种LED电极制作方法,其特征在于,通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极,其中,蒸镀电极膜层的先后顺序为Rh、Al、Ti、Pt、Ti、Pt和Au,其中,所述蒸镀电极膜层的步骤包括:Rh层的蒸镀厚度为镀Rh时的蒸镀速率为Al层的蒸镀厚度为镀Al时的蒸镀速率为第一层Ti的蒸镀厚度为镀第一层Ti时的蒸镀速率为第一层Pt的蒸镀厚度为镀第一层Pt时的蒸镀速率为第二层Ti的蒸镀厚度为镀第二层Ti时的蒸镀速率为第二层Pt的蒸镀厚度为镀第二层Pt时的蒸镀速率为Au层的蒸镀厚度为镀Au时的蒸镀速率为其中,通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极的步骤中,本底真空度为3×10-6Pa。
2.根据权利要求1所述的LED电极制作方法,其特征在于,在蒸镀电极之后包括制作电极保护层步骤:利用气相成膜法在电极上沉积电极保护层,然后利用刻蚀方法刻蚀电极保护层露出电极焊点,形成电极保护层。
3.根据权利要求2所述的LED电极制作方法,其特征在于,所述电极保护层的材料为无机非金属材料。
4.一种LED电极,其特征在于,所述LED电极由权利要求1~3任一项所述的LED电极制作方法制作而成。
5.一种LED芯片,其特征在于,包括权利要求4所述的LED电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造